Omkrystalliseret siliciumcarbidrør
Omkrystalliseret siliciumcarbidrør

Omkrystalliseret siliciumcarbidrør

Vare: omkrystalliseret siliciumcarbidrør
Materiale: sic
Size: ID >20 mm, længde<2000mm
Form: cylindrisk, firkantet og tilpasset
Proces: Slipstøbning, præcisionsbearbejdning, overfladepolering
Send forespørgsel
Chat nu
Produkter Beskrivelse
Recrystallized Silicon Carbide Tube

Grundlæggende oplysninger

 

Omkrystalliserede siliciumcarbidprodukter er strukturel keramik med høj temperatur lavet af høj-renhedssic og sintret ved 2100-2300 grad . Lavet af højrulitetsråmaterialer og fri for korngrænse, de har fremragende høj-temperaturmekaniske egenskaber, oxidationsmodstand, høje termiske ledningsevne og en lille thermal ekspansion Koefficient . omkrystalliserede siliciumcarbidrør kan stadig opretholde god dimensionel stabilitet under høj temperatur og høje belastningsbetingelser for 1650-1700 grad .

 

Chipnano - omkrystalliserede siliciumcarbidopløsninger

Standardprodukter:
• Plader og ark
• Rør og stænger
• Ringe & bjælker

Strukturelle komponenter:

Belastningsbærende bjælker

Hjælpebjælke/spændingsstråler

Faste bjælker

Baser & hætter

Tilpassede løsninger til rådighed

Premium sic -materialer til ekstreme miljøer

Omkrystalliseret siliciumcarbid (R-SIC) produkter

Nøglefunktioner:

Højrulhed -SIC sintret ved 2100-2300 grad

Ingen korngrænseforurenheder

Fremragende høj temperaturstyrke (1650-1700 grad)

Fremragende oxidationsmodstand

Høj termisk ledningsevne

Lav termisk ekspansion

Præstation:
• Opretholder dimensionel stabilitet under ekstrem varme og belastning
• Ideel til krævende applikationer med høj temperatur

 

Specifikationer

Produkt

Omkrystalliseret siliciumcarbidrør

Materiale

Sic

Slags

Firkantet, cylindrisk og tilpasset

Behandle

Slipstøbning, præcisionsbearbejdning, overfladepolering

Recrystallized-Silicon Carbide Tube
Dimensioner

Dimensioner til omkrystalliseret siliciumcarbidrør

Indre diameter

>20 mm

Længde

< 4500mm

Tykkelse

>2mm

 

Omkrystalliseret siliciumcarbidfremstillingsproces

Sintringsmekanisme:

Sintering med høj temperatur (2100-2300 grad)

Atomdiffusion via overfladedampningskondensering

Små partikler fordampes og deponeres på større partikler

Vækst i kornhalsen styrker strukturen

Nøgleprocesparametre:

Initieringstemperatur: 1900 grad (overfladediffusion)

Optimal styrkeområde: 2150-2300 grad

Udført i grafitinduktionsovne

Bemærk: Process opnår direkte kornbinding for forbedret styrke

Recrystallized-Silicon-Carbide Tube
Pakning af omkrystalliseret siliciumcarbidrør

 

 

Avanceret keramisk emballageguide

Produktfunktioner

Hård men sprød

Brug for særlig beskyttelse

Emballage

Ydre: Trækasser (rør) / forstærkede kartoner (små dele)

Indre: Brugerdefineret dæmpning og anti-vibration

Vores styrke

Bevist skrøbelig emballageekspertise

Globale forsendelsesløsninger

Brugerdefinerede muligheder

Håndter med omhu til enhver tid

SiC tube packing

 

 

 

Populære tags: Omkrystalliseret siliciumcarbidrør, Kina omkrystalliseret siliciumcarbidrørproducenter, leverandører, fabrik